Интегральные микросхемы для аппаратуры магнитной записи


             

Микросхема К157УД1 - часть 2


Усилитель мощности — двухтактный, Сигналы положительной полярности усиливаются по току транзисторами VT19, VT2S и VT27, включенными по схеме составного эмиттерного повторителя, отрицательной полярности транзисторами VT22, VT26, VT28, включенными эквивалентно мощному р-n-р транзистору.

Высокая линейность при усилении малых уровней выходного сигнала достиг­нута подачей начального смещения, выделяющегося на переходах база-эмиттер транзисторов VT19, VT20, VT21 и резисторе R7, между базами транзисторов усилителя мощности. Величина начального тока через выходные транзисторы VT27 и VT28 при выбранных площадях эмиттеров транзисторов микросхемы определяется резисторами R12 и R13.

В ОУ предусмотрено ограничение максимального импульса тока на уровне 0,4... 1 А для предотвращения выхода микросхемы из строя при переходных процессах или при кратковременном замыкании на выходе. Это достигнуто шунтированием базовой цепи транзистора VT25 участком коллектор-эмиттер транзистора VT23, который открывается при увеличении падения напряжения на резисторе R14 выше допустимого. Аналогично происходит и ограничение им­пульса тока отрицательной полярности.

При повышении падения напряжения на резисторе R15 до значения, доста­точного для открывания транзистора VT24, происходит шунтирование базовой цепи транзистора VT26. Величина тока, протекающего через транзистор VT24, определяется транзистором VT22, коэффициент усиления которого резко умень­шается при больших коллекторных токах, что также способствует ограничению импульса тока на выходе ОУ. Назначение резисторов R9 и R11 — предотвратить самовозбуждение ОУ в режиме ограничения на частотах УКВ-диапазона.

Транзистор VT13 также играет роль защитного; при чрезмерном увеличении падения напряжения на резисторе R6 он открывается и шунтирует вход тран­зистора VT15, предотвращая тем самым перегрузку транзисторов VT15 и VT17. Диод VD1 устраняет насыщение транзистора VT17, улучшая работу каскада на высоких частотах при максимальном выходном напряжении.

Генераторы тока на транзисторах VT2, VT5, VT8, VT16, VT18 получают смещение от транзистора VT10 в диодном включении, который возбуждается стабилизированным током, формируемым транзисторами VT11, VT12, VT14 и резистором R4.

Для повышения устойчивости при работе с различными нагрузками реко­мендуется, кроме основной коррекции, подключаемой между выводами 1 — 3 или 1 — 5. и соединения выводов 2 и 6 через конденсаторы вблизи микросхемы с общим проводом устройства, подключать дополнительную RC-пепь между выво­дами 3 и 5 микросхемы.

 




Содержание  Назад  Вперед