Зарубежные интегральные микросхемы широкого применения

             

Зарубежные интегральные микросхемы широкого применения - стр. 2


фирмой Te­xas Instr. (патент на первую ИМС был выдан Ж. Кильби и затем Р. Нойсу в 1959 г.). В дальнейшем в 1961 г. были выпущены серий­ные логические ИМС фирмами Fairchild (схема совпадений, регистр, триггер, содержавший четыре биполярных транзистора и два рези­стора) и Texas Instr. (серия SN51). В 1962 г. появились и первые аналоговые ИМС серии SN52 (маломощный усилитель низкой ча­стоты, операционный усилитель и видеоусилитель).

Радикальное изменение принципов создания ИМС принесли раз­работанная фирмой Fairchild в 1960 г. планарная технология для биполярных транзисторов, а также методы создания полевых тран­зисторов (транзисторы с р-n переходом были получены впервые в 1957 г., а МОП-транзисторы — в 1962 г.) Первая логическая МОП-схема была создана фирмой RCA в 1963 г. и содержала 16 МОП-транзисторов. В 70-е годы появилось много различных базовых технологий и новых технологических направлений, используемых для создания ИМС: р-МОП, n-МОП, КМОП, инжекционная логика (И2Л) в 1972 г., приборы с зарядовой связью (ПЗС) в 1970 г. и др. В настоящее время насчитывается около 50 технологических разно­видностей ИМС. Развитие микроэлектроники идет по пути повыше­ния уровня интеграции ИМС путем увеличения числа элементов и уменьшения структурных размеров элементов с помощью новых тех­нологических методов: от первых ИМС с малой степенью интегра­ции-SSI (менее чем 100 элементов на кристалл) до ИМС сред­ней — MSI (от 100 до 1000 элементов на кристалл) и большой — LSI (от 1000 до 100000 элементов на кристалл) степени интеграции. Например, у микропроцессора типа 8086 на кристалле площадью 33 мм2 содержится 29 тыс. транзисторов. Многие из современных больших ИМС эквивалентны по функциональным возможностям большим радиоэлектронным устройствам. В настоящее время насту­пила стадия создания и сверхбольших ИМС (VLSI). Значительное повышение уровня интеграции ИМС приводит к слиянию в единый технологический цикл процессов создания ИМС и РЭА.


Содержание  Назад  Вперед