Создание посадочного места транзистора КТГ
Если программа Pattern Editor не закрывалась, то конфигурация сохранилась (см. раздел 5.3 настройка конфигурации) и можно сразу приступать к созданию посадочного места транзистора КТ3102Г (рис. 5.26).
Выбираем по табл. 4.8 вариант установки Vг (рис. 5.27).
Определение параметров монтажного отверстия.
Для второго класса точности ПП минимально
применимый
диаметр металлизированного монтажного отверстия под вывод транзистора
dвыв
= 0.5 мм определяется по формуле 4.2:
= 0.40 · 1.5 + 0.05 = 0.65 мм,
где J = 0.04 - относительная толщина ПП (см. табл. 4.2); Н = 1.5 мм - толщина основания ПП из фольгированного стеклотекстолита СФ-2-1.5 (см. рис. 4.1 и 4.2); Dd = 0.05 мм - максимальное предельное отклонение диаметра рассчитываемого отверстия (см. табл. 4.3).
Учитывая, что
dвыв < dпер, диаметр монтажного отверстия определим по (4.4):
= 0.55 + 0.2 = 0.75 мм.
r = 0.2 - гарантированный зазор между диаметром монтажного отверстия и выводом ЭРЭ.
С учетом округления до номинальных размеров выбираем
dмонт = 0.8 мм.
Определение параметров контактной площадки.
Для круглой формы монтажной площадки минимальный эффективный диаметр контактной площадки
рассчитываем по формуле 4.7:
= 2 · (0,2 + 0,8 / 2 + 0,15 + 0,25) = 1,0 мм,
где b
= 0.2 - ширина гарантийного пояска (рис. 4.5) выбрана по табл. 4.2 для второго класса точности;
- максимальный диаметр монтажного или переходного отверстия с учетом допуска;
= 0,15 и
= 0, 25 - позиционные допуски расположения осей отверстий и контактных площадок по ГОСТ 23751-86 (табл. 4. 5 - 4.6) соответственно.
Для комбинированного позитивного метода минимальный диаметр контактной площадки
рассчитываем по формуле 4.9:
В диалоговом окне
Options Pad Style
в списке
Current Style выбрать появившийся стиль
Kр_s18h08 и нажать кнопку
Modify
(
Simple) (Простая модификация). В открывшемся диалоговом окне
Modify Pad Style (
Simple) в списке
Туре (Тип) выбрать штыревой тип вывода (
Thru) и установить для него круглую форму площадки. Для этого в поле
Pad Definition (Описание контактной площадки) в открывающемся списке
Shape выбрать значение
Ellipse. Установить размеры круглой контактной площадки
Height (Высота) и
Width (Ширина) равными
1,8 мм, а диаметр сверла задать в поле
Hole равным
0,8 мм (рис. 5.31).
Выполнить команды
Options/Pad Style. В открывшемся диалоговом окне
Options Pad Style в списке
Current Style двойным щелчком
ЛК выбрать стиль
Kр_r18h08 (рис. 5 .31) в качестве текущего.
Установка контактных площадок посадочного места транзистора.
Для этого выполнить команду
Place Pad (пиктограмма
). В появившемся окне
Place Pad
поставить
1 в поле
Starting Pad Number и
1 в поле
Increment Pad Number
(рис. 5.32).
Поставить курсор в точку (
5; 10) и щелкнуть
ЛК.
Выполнить команды
Options/Pad Style и в открывшемся диалоговом окне
Options Pad Style в списке
Current Style двойным щелчком
ЛК в качестве текущего выбрать стиль
Kр_s18h08 (круглой площадки).
Перевести курсор в точку (
7,5;
10) и щелкнуть
ЛК, наконец, установить курсор в точку (
10; 10), щелкнуть
ЛК, затем
ПК.
Вид ПМ транзистора с контактными площадками под выводы транзистора представлен на рис. 5.33.
Перенумеровать контакты.
Для перенумерации контактов выполнить команды
Utils/Renumber
(или нажать на пиктограмму
). В результате откроется диалоговое окно
Utils Renumber.
В этом окне установить режим перенумерации контактов (в поле
Туре
выбрать
Pad Number).
Проверить, чтобы начальный номер контакта (
Starting Pad Number) и приращение нумерации (
Increment Value) были равны единице (рис. 5.34, а). Нажать кнопку
ОК. После этого поочередно щелкнуть
ЛК в центре каждой КП. Щелкнуть
ПК.
Снова вызвать команду
Utils / Renumber. В открывшемся диалоговом окне в поле
Туре выбрать
Default Pin Designator, установить
Starting Pin Des и
Increment Value равны ми единице (рис. 5.34, б). После этого поочередно щелкнуть
ЛК
в центре каждой КП. Щелкнуть
ПК.
Нарисовать контур корпуса транзистора.
Для этого выбрать текущим слой
Top Silk.
Шаг сетки задать 0,5 мм.
Выполнить команду
Place Line. Поставить курсор в 1-ю точку (
5; 12,5) и щелкнуть
ЛК. Переместить курсор во 2-ю точку (
10; 12,5), щелкнуть
ЛК. Установить курсор в 3-ю точку (
10; 13), щелкнуть
ЛК. Переместить курсор в 4-ю точку (
5; 13) и щелкнуть
ЛК. Наконец, вновь переместить курсор в 1-ю точку (
5; 12,5) щелкнуть
ЛК, а затем
ПК.
Шаг сетки задать 0,1 мм.
Выполнить команду
Place Line. Поставить курсор в точку (
5,1; 13) и щелкнуть
ЛК. Переместить курсор в точку (
5,1; 17,8), щелкнуть
ЛК. Установить курсор в точку (
9,9; 17,8), щелкнуть
ЛК. Переместить курсор в точку (
9,9; 13) и щелкнуть ЛК, а затем
ПК.
Нарисуем выводы. Шаг сетки задать 1,25 мм.
Поставить курсор в точку (
5,1; 13) и щелкнуть
ЛК. Переместить курсор в точку (
5,1; 17,8), щелкнуть
ЛК. Установить курсор в точку (
9,9; 17,8), щелкнуть
ЛК. Переместить курсор в точку (
9,9; 13) и щелкнуть
ЛК, а затем
ПК.
Шаг сетки задать 1,25 мм.
Нарисуем вывод эмиттера. Выполнить команду
Place Line. Поставить курсор в точку (
5; 10) и щелкнуть
ЛК. Переместить курсор в точку (
6,25; 11,25), щелкнуть
ЛК. Установить курсор в точку (
6,25; 12,5), щелкнуть
ЛК, а затем
ПК.
Нарисуем вывод базы. Выполнить команду
Place Line. Поставить курсор в точку (
7,5; 10) и щелкнуть
ЛК. Переместить курсор в точку (
7,5; 12,5), щелкнуть
ЛК, а затем
ПК.
Нарисуем вывод коллектора. Выполнить команду
Place Line. Поставить курсор в точку (
10; 10) и щелкнуть
ЛК. Переместить курсор в точку (
8,75; 11,25), щелкнуть
ЛК. Установить курсор в точку (
8,75; 12,5), щелкнуть
ЛК, а затем
ПК.
Результат построения изображен на рис. 5.35.
Установить точку привязки элемента.
Для этого выполнить команду
Place Ref Point. Поставить курсор в точку (
5; 10) и щелкнуть
ЛК, затем
ПК.
Вести обозначения выводов транзистора.
Шаг сетки задать 1,25 мм, текущий слой
Top Silk.
Выполнить команду
Place / Text (или нажать пиктограмму
).
Установить курсор в точку с координатами (
6,25; 13,75) и щелкнуть
ЛК.
В появившемся диалоговом окне
Place Text нажать кнопку
More, чтобы определить свойства стиля текста (рис. 5.36).
Нажать кнопку
Text Styles. В появившемся диалоговом окне
Options Text Style нажать кнопку
Add и ввести новый стиль
Arial1_0
для обозначения выводов ЭРЭ на ПП. Для этого стиля изменить настройки: выделить имя в списке и нажать клавишу
Properties. В открывшемся диалоговом окне
Text Style Properties поставить флажок возле
Allow True Type. Затем нажать кнопку
Font. В открывшемся диалоговом окне в области «Шрифт» выбрать «
Arial». В области «Набор символов» в выпадающем списке выбрать «Кириллица». В области «Начертание» выбрать «Обычный». Нажать кнопку
ОК. В области «
Size» ввести с клавиатуры значение
1,0 мм. Нажать кнопку
ОК.
Щелкнуть два раза по имени стиля
Arial1_0
в списке
Current Text Style, диалогового окна
Options Text Style, чтобы сделать его стилем по умолчанию.
Во вновь появившемся диалоговом окне
Place Text установить способ выравнивания текста
Justification
по центру по горизонтали и низ по вертикали.
Напечатать букву
Э и нажать
ЛК клавишу
Place (Разместить) (см. рис. 5.36).
Переместить курсор в точку с координатами (
7,5; 13,75) и щелкнуть
ЛК.
В появившемся диалоговом окне
Place Text
установить способ выравнивания текста
Justification
по центру по горизонтали и низ по вертикали.
Напечатать букву
Б и нажать
ЛК клавишу
Place.
Передвинуть курсор в точку с координатами (
8,75; 13,75) и щелкнуть
ЛК.
В диалоговом окне
Place Text
установить способ выравнивания текста
Justification
по центру по горизонтали и низ по вертикали.
Напечатать букву
К и нажать
ЛК клавишу
Place.
Создать новый стиль шрифтов атрибутов.
Для этого выполнить команды
Options/Text Style. В диалоговом окне нажать кнопку
Add и ввести имя нового стиля
Arial3_5Italic. Для этого стиля изменить настройки: выделить имя в списке и нажать клавишу
Properties. В открывшемся диалоговом окне
Text Style Properties
поставить флажок возле
Allow True Type. Затем нажать кнопку
Font. В открывшемся диалоговом окне в области «Шрифт» выбрать «
Arial». В области «Набор символов» в выпадающем списке выбрать «Кириллица». В области «Начертание» выбрать «Курсив». Нажать кнопку
ОК. В области «
Size» ввести с клавиатуры значение
3,5 мм. Нажать кнопку
ОК.
Ввести атрибуты элемента.
В качестве атрибутов введем место для размещения позиционного обозначения и надпись типа элемента.
Задать шаг сетки
0,5 мм.
Выполнить команду
Place Attribute. В появившемся диалоговом окне в области
Attribute Category
выбрать
Component, а в области
Name — RefDes. Установить стиль текста
Arial3_5Italic. Выравнивание
Justification
задать по центру по горизонтали и низ по вертикали. Нажать кнопку
ОК. Установить курсор в точку с координатами (
7,5; 18,5) и щелкнуть
ЛК.
Вновь выполнить команду
Place Attribute. В появившемся окне в области
Attribute Category выбрать
Component. В области
Name
выбрать
Туре. Установить стиль текста
Arial3_5Italic. Выравнивание
Justification
задать по центру по горизонтали и верх по вертикали. Нажать кнопку
ОК. Установить курсор в точку (
7,5; 8,5), щелкнуть
ЛК, затем
ПК.
Полученное окончательное изображение посадочного места и корпуса транзистора Окончательное изображение посадочного места и корпуса транзистора КТ3102г показано на рис. 5.37.
Записать в библиотеку посадочное место транзистора КТ3102Г.
Для этого выполнить команды
File/Save. В появившемся окне щелкнуть по кнопке
Library, в открывшемся окне выбрать библиотеку
Ivanov.lib. В поле
Pattern набрать имя элемента «КТ3102Г» и нажать кнопку
ОК (рис. 5.38).
Содержание раздела
